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宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货
正文
宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货
2025-05-17 07:47:00 来源:
泥牛入海网
作者:
风向标
点击:
784次
作者:货币
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